Samsung chuẩn bị tạo ra ổ SSD petabyte đầu tiên trên thế giới

Samsung chuẩn bị tạo ra ổ SSD petabyte đầu tiên trên thế giới


Samsung đang tiến rất gần đến việc chế tạo thành công ổ SSD petabyte (1 petabyte = 1.000 TB) đầu tiên trên thế giới và thiết bị lưu trữ mới có thể được kích hoạt bằng cách sử dụng Hafnia Ferroelectrics.


Hafnia Ferroelectrics là một loại vật liệu có khả năng chuyển đổi giữa các trạng thái điện từ thông qua việc đảo ngược cực điện tự phát của nó. Điều này làm cho nó trở thành một lựa chọn hấp dẫn cho việc sử dụng trong các thiết bị nhớ không biến mất và các transistor ferroelectric. 

Cuộc đua xem đâu là công ty đầu tiên chế tao được ổ SSD có kích cỡ petabyte đầu tiên trên thế giới đang do Samsung Electronics dẫn đầu và vạch đích có thể gần hơn ta biết.

 

Chỉ mới vào tháng 3 năm ngoái đã có báo cáo cho rằng Samsung Electronics còn khoảng một thập kỷ nữa mới tạo ra được ổ SSD petabyte đầu tiên, nhưng giờ đây, với những nghiên cứu mới xuất hiện có thể làm giảm đáng kẻ thời gian đó. Đầu tiên, Samsung đang chuẩn bị ra mắt bộ nhớ V-NAND flash thế hệ thứ 9 có 290 lớp xếp chồng lên nhau. Ngoài ra, Samsung còn công bố sự tồn tại của bộ nhớ V-NAND flash thế hệ 10 có tính năng xếp chồng 430 lớp.

 

TweakTown gallery image 2 / 2

 

Nhiệm vụ đạt được ổ SSD đơn 1.000 terabyte hoặc 1 petabyte có thể phải mất vài năm nữa mới thành hiện thực,nhưng gần đây, đã có những thông tin về công nghệ mới mà công ty đang nghiên cứu để biến mục tiêu lưu trữ đó thành hiện thực. Giwuk Kim, một nghiên cứu sinh - tiến sĩ tại Khoa Kỹ Thuật Điện tại Viện Khoa Học và Công Nghệ Tiên Tiến Hàn Quốc (KAIST), chuẩn bị trình bày một phân tích về Hafnia Ferroelectrics, và cách các đặc tính sắt điện có thể tạo ra các tụ điện/bộ nhớ nhỏ hơn và hiệu quả hơn.

 


"Chúng tôi chứng mình bằng thực nghiệm sự cải thiện hiệu suất đáng kể, được tăng cường nhờ sự tương tác giữa các hiệu ứng chuyển đổi bẫy điện tích và ferroelectric (FE) trong lớp xen kẽ cổng được thiết kế dải kim loại (BE-G.IL)-FE-channel (Ch.IL)-Si ( MIFIS) FeFET. MIFIS với BE-G.IL (BE-MIFIS) tạo điều kiện cho "phản hồi tích cực" (Posi. FB.) tối đa của các hiệu ứng kép, dẫn đến điện áp hoạt động thấp (VPGM/VERS: +17/-15 V ), cửa sổ bộ nhớ rộng (MW: 10,5 V) và nhiễu không đáng kể ở điện áp sai lệch 9 V.

 

Hơn nữa, mô hình đề xuất của chúng tôi xác minh rằng việc nâng cao hiệu suất của BE-MIFIS FeFET là do vị trí tăng cường. FB. Công việc này chứng minh rằng hafnia FE có thể đóng vai trò là yếu tố then chốt trong việc mở rộng sự phát triển công nghệ của 3D VNAND, hiện đang tiến đến tình trạng trì trệ.”